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Português  |
1303-11-3
Inas.
493300WF.
<100>
4 '' / 6 ''
215-115-3.
Classe 6.1.
Un1557.
Pg iii.
Característica
O índio arsenide, INAS ou monoarsenide indium, é um semicondutor composto de índio e arsênico. Tem a aparência de cristais cúbicos cinzentos com um ponto de fusão de 942 ° C.
Fórmula química: INAS
Massa molar: 189.740 g / mol
Densidade: 5,67 g / cm3
Ponto de fusão: 942 ° C (1,728 ° F; 1,215 K)
Gap de banda: 0.354 EV (300 K)
Mobilidade eletrônica: 40000 cm2 / (v * s)
Condutividade térmica: 0,27 w / (cm * k) (300 K)
Índice de Refração (ND): 3.51
Estrutura de cristal: Zinc Blende
Inscrição
O índio arsenide é usado para construção de detectores infravermelhos, para a faixa de comprimento de onda de 1-3,8 μm. Os detectores são geralmente photodiodes fotovoltaicos. Os detectores criogenicamente resfriados têm menor ruído, mas os detectores INAS podem ser usados em aplicações de alta potência à temperatura ambiente também. O Arsenide de Índio também é usado para fazer de lasers de diodo.
Característica
O índio arsenide, INAS ou monoarsenide indium, é um semicondutor composto de índio e arsênico. Tem a aparência de cristais cúbicos cinzentos com um ponto de fusão de 942 ° C.
Fórmula química: INAS
Massa molar: 189.740 g / mol
Densidade: 5,67 g / cm3
Ponto de fusão: 942 ° C (1,728 ° F; 1,215 K)
Gap de banda: 0.354 EV (300 K)
Mobilidade eletrônica: 40000 cm2 / (v * s)
Condutividade térmica: 0,27 w / (cm * k) (300 K)
Índice de Refração (ND): 3.51
Estrutura de cristal: Zinc Blende
Inscrição
O índio arsenide é usado para construção de detectores infravermelhos, para a faixa de comprimento de onda de 1-3,8 μm. Os detectores são geralmente photodiodes fotovoltaicos. Os detectores criogenicamente resfriados têm menor ruído, mas os detectores INAS podem ser usados em aplicações de alta potência à temperatura ambiente também. O Arsenide de Índio também é usado para fazer de lasers de diodo.
