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Português  |
10097-28-6.
SIO.
140800PC.
99,9% -99,99%
3 - 12 mm / 6 - 15 mm
233-232-8.
Característica
O monóxido de silício é um composto inorgânico, a sua fórmula química é SiO, sob temperatura normal e pressão é marrom negro a pó amorfose cor, insolúvel em água, pode dissolver-se em ácido hidrofluorico diluído e ácido nítrico e libertação de silício, quando aquecido em O ar para produzir dióxido de silício branco em pó.silicon Monóxido é instável e oxida em sílica no ar.
Fórmula química: SiO
Massa molar: 44.08 g / mol
Aparência: sólido marrom-preto
Densidade: 2,13 g / cm3
Ponto de fusão: 1.702 ° C (3.096 ° F; 1,975 K)
Ponto de ebulição: 1.880 ° C (3.420 ° F; 2,150 K)
Solubilidade na água: insolúvel
Inscrição
Por causa de sua alta atividade, o silício em pó de monóxido pode ser usado como matérias-primas para síntese de cerâmica fina, como nitreto de silício e pó de cerâmica fina de carboneto de silício. Preparação de materiais ópticos de vidro e semicondutor.
Ele é evaporado em um vácuo e revestido em uma superfície de espelho de metal para instrumentos ópticos como um filme protetor. Preparação de materiais semicondutores.
Característica
O monóxido de silício é um composto inorgânico, a sua fórmula química é SiO, sob temperatura normal e pressão é marrom negro a pó amorfose cor, insolúvel em água, pode dissolver-se em ácido hidrofluorico diluído e ácido nítrico e libertação de silício, quando aquecido em O ar para produzir dióxido de silício branco em pó.silicon Monóxido é instável e oxida em sílica no ar.
Fórmula química: SiO
Massa molar: 44.08 g / mol
Aparência: sólido marrom-preto
Densidade: 2,13 g / cm3
Ponto de fusão: 1.702 ° C (3.096 ° F; 1,975 K)
Ponto de ebulição: 1.880 ° C (3.420 ° F; 2,150 K)
Solubilidade na água: insolúvel
Inscrição
Por causa de sua alta atividade, o silício em pó de monóxido pode ser usado como matérias-primas para síntese de cerâmica fina, como nitreto de silício e pó de cerâmica fina de carboneto de silício. Preparação de materiais ópticos de vidro e semicondutor.
Ele é evaporado em um vácuo e revestido em uma superfície de espelho de metal para instrumentos ópticos como um filme protetor. Preparação de materiais semicondutores.
