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PESQUISA E DESENVOLVIMENTO

CadaAno, investimos uma grande quantidade como fundos de P & D. Nós sempre tomamos a pesquisa e desenvolvimento de novos produtos e novas tecnologias como a principal prioridade da operação de nossa empresa.Oseus engenheiros de R & D dominaram muitas habilidades e experiências, Nós fornecemos esses serviços de produção personalizados de P & D para os clientes.

TI3SIC2 sintering alvo.

O Ti3SIC2 é cristal hexagonal, que é composto de camada Planar Si conectada pelo TI C OcitaDron para formar estrutura em camadas.
TI3SIC2 como o metal tem um excelente condutor térmico, fácil de processar, relativamente \"suave \", não sensível ao choque térmico, como cerâmica com boa resistência à oxidação, o mais importante ainda mantém alta resistência a alta temperatura. TI3SIC2 integra as características de cerâmica e metal, alto modulus elástico, alto ponto de fusão e alta estabilidade de temperatura refletem as propriedades de cerâmica similar;

Personagem:

Densidade: 4.64g / cm2,
Resistor: ~ 10Ω
Nenhuma diferença de cor, sem pontos.

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ZRS2 POWD, 99,9%, -100mesh

O dissulfeto de zircônio (ZRS2) tem uma estrutura em camadas e pertence ao Grupo IV Transição Metal Dichalcogenides (TMDCs). ZRS2 é termodinamicamente estável, ecologicamente correto com alta sensibilidade e produção de baixo custo. As monocamadas ZRS2 exibiram características óbvias de transporte N-tipo com mobilidade relativamente alta.
Formulários:

O ZRS2 é um material promissor para optoeletrônica devido à sua maior mobilidade de transportadora à temperatura ambiente e maior densidade de corrente do que o MOS2, que são desejáveis para dispositivos de baixa potência. Com um bandgap indireto em torno de 1,7 EV e direto Bandgap em torno de 2.0 EV para o monocamador, o ZRS2 encontra aplicativos em termoelétricos, células solares Schottky, fotodetetetores, fets e produção de hidrogênio catalítico.
ZRS2 2D nanomateriais têm uma alta mobilidade eletrônica, isto é, 1200 cm2 / vs, que é mais tham três vezes maior do que a do MOS2 amplamente investigado (340 cm2 / vs). Os dispositivos FET com base no ZRS2 têm maior sensibilidade eletrônica e excelentes propriedades semicondutor. Os cálculos mostraram que os transistores de Tunelamento de Tunelamento Baseado no ZRS2 (TFETS) podem ter densidades de corrente de corrente de até 800 μA / μm (100 vezes maior que a de mos2), dando a ascensão do grande potencial de aplicação em dispositivos de baixa potência.

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Izo sputtering alvo, 99,9%

Nome do produto: óxido de zinco de índio (izo) alvos de pulverização
Fórmula: Izo (IN2O3 / ZNO, 90/10% em peso)
Pureza: 99,9%
Forma: Alvos de retângulo, feito sob encomenda
Tamanho: 249,6 * 125 * 6mm
O alvo cerâmico IZO (99,99% em pureza e densidade) compreende 90% em peso de LN2O3 e 10% em peso de zno. O sistema de sputtering Magnetron Corrente Direto (DC) é utilizado para a deposição de filme. Sem / com a técnica de Deposição Assistida por Iônica (IAD), as propriedades elétricas, ópticas e estruturais desses filmes preparados por diferentes poderes CC (como 50 W, 80 W e 100 W) são uma condição idótipo de deposição idzo que é Desenvolvido para aplicações de dispositivo de emissão de luz orgânica flexível (OLED).

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Pó de carboneto de Hafnium

Material de pó de carboneto de Hafnium, fórmula molecular HFC, tipo de cloreto de sódio sistema de cristal cúbico, pó cinzento-preto, ponto de fusão 3890 ℃, a densidade teórica 12,7 g / cm3, a condutividade térmica é de 6,28 【W (M · k) -1】 (20 ℃), resistividade de volume 1,95 * 10-4Ω · cm (2900 ℃), coeficiente de expansão térmica 6,73 * 10-6 / ℃, a resistividade de 40 ~ 50 / μΩ · cm, modulus elástico 35.9 * 103MPA, força de compressão 1380MPA. Muito adequado para bicos de foguete, que pode ser usado como nariz cones de foguetes espaciais de reentrada. Usado em cerâmicas e outras indústrias.

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Campos de P & D

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