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Português  |
22831-42-1.
Alas.
133300PD.
99,5%
- 20 malha aprox, - 200 malha
245-255-0.
UN1394.
Característica
Arsenide de alumínio ou arsenide de alumínio (ALAS) é um material semicondutor com quase a mesma estrutura constante como arsenide gálio e arsenide de gálio de alumínio e lacuna de banda mais larga do que o arsenide gálio.
Fórmula Química: Alas
Massa molar: 101.9031 g / mol
Aparência: cristais laranja
Densidade: 3,72 g / cm3
Ponto de fusão: 1.740 ° C (3,160 ° F; 2.010 K)
Solubilidade na água: reage
Solubilidade: Reage em etanol
Gap de banda: 2.12 EV (indireto)
Mobilidade eletrônica: 200 cm2 / (v · s) (300 K)
Condutividade térmica: 0,9 W / (cm · k) (300 K)
Índice de Refração (ND): 3 (infravermelho)
Inscrição
O arsenide de alumínio é um material de semicondutores composto III-V e é um material vantajoso para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos, como diodos emissores de luz.
O arsenide de alumínio pode ser preparado usando métodos bem conhecidos, como técnicas de epitaxia de líquido e fase de vapor ou técnicas de crescimento de fusão. No entanto, os cristais de arsenide de alumínio preparados por estes métodos são geralmente instáveis e geram arsina (cinzas3) Quando exposto ao ar úmido.
O arsenide de alumínio pode ser preparado usando métodos bem conhecidos, como técnicas de epitaxia de líquido e fase de vapor ou técnicas de crescimento de fusão. No entanto, os cristais de arsenide de alumínio preparados por estes métodos são geralmente instáveis e geram arsina (cinzas3) Quando exposto ao ar úmido.
Característica
Arsenide de alumínio ou arsenide de alumínio (ALAS) é um material semicondutor com quase a mesma estrutura constante como arsenide gálio e arsenide de gálio de alumínio e lacuna de banda mais larga do que o arsenide gálio.
Fórmula Química: Alas
Massa molar: 101.9031 g / mol
Aparência: cristais laranja
Densidade: 3,72 g / cm3
Ponto de fusão: 1.740 ° C (3,160 ° F; 2.010 K)
Solubilidade na água: reage
Solubilidade: Reage em etanol
Gap de banda: 2.12 EV (indireto)
Mobilidade eletrônica: 200 cm2 / (v · s) (300 K)
Condutividade térmica: 0,9 W / (cm · k) (300 K)
Índice de Refração (ND): 3 (infravermelho)
Inscrição
O arsenide de alumínio é um material de semicondutores composto III-V e é um material vantajoso para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos, como diodos emissores de luz.
O arsenide de alumínio pode ser preparado usando métodos bem conhecidos, como técnicas de epitaxia de líquido e fase de vapor ou técnicas de crescimento de fusão. No entanto, os cristais de arsenide de alumínio preparados por estes métodos são geralmente instáveis e geram arsina (cinzas3) Quando exposto ao ar úmido.
O arsenide de alumínio pode ser preparado usando métodos bem conhecidos, como técnicas de epitaxia de líquido e fase de vapor ou técnicas de crescimento de fusão. No entanto, os cristais de arsenide de alumínio preparados por estes métodos são geralmente instáveis e geram arsina (cinzas3) Quando exposto ao ar úmido.
