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PortuguêsNúmero Browse:14 Autor:editor do site Publicar Time: 2021-07-21 Origem:alimentado
Óxido de bismuto (iii)É um composto importante de Bismuto, óxido de bismuto tem dois tipos de estrutura de cristal: tipo alfa e tipo beta. Em comparação com o óxido de bismuto beta, o óxido de alfa Bismuth é mais estável em alta temperatura e tem uso mais comum de materiais eletrônicos, termistor, coloração de vidro, varistor, pára-raios, CRT, papel à prova de fogo, combustível de reator nuclear, eletrônico etc.
O óxido de bismuto viu interesse como material para células de combustível de óxido sólido ou sofcs, já que é um condutor iônico, isto é, os átomos de oxigênio se movem prontamente através dele. O óxido puro de Bismuto, BI2O3 tem quatro polimorfos cristalográficos. Tem uma estrutura de cristal monoclínica, designada α- bi2o3, à temperatura ambiente. Isso se transforma na estrutura cristalina do tipo fluorita cúbica, Δ-bi2o3, quando aquecido acima de 727 ° C, que continua sendo a estrutura até o ponto de fusão, 824 ° C, é atingido. O comportamento do BI2O3 no resfriamento da fase δ é mais complexo, com a possível formação de duas fases métricas intermediárias; a fase tetragonal ou a fase cúbica centrada no corpo. A fase γ pode existir à temperatura ambiente com taxas de resfriamento muito lentas, mas a α- bi2O3 sempre se forma para esfriar a fase β.
A 750 ° C, a condutividade de Δ- bi2o3 é tipicamente cerca de 1 SCM-1, cerca de três ordens de magnitude maior do que as fases intermediárias e quatro pedidos maiores que a fase monoclínica. A condutividade nas fases β, γ e δ é predominantemente iónica com íons de óxidos sendo a principal transportadora de carga. A α-fase exibe a condutividade eletrônica do tipo P (a carga é transportada por orifícios positivos) à temperatura ambiente, que transforma para a condutividade do tipo N (carga é transportada por elétrons) entre 550 ° C e 650 ° C, dependendo do oxigênio parcial pressão. Portanto, é inadequado para aplicações eletrolíticas. Δ- BI2O3 tem uma estrutura de cristal de fluorite com defeito em que dois dos oito sites de oxigênio na célula unitária estão vagos. Essas vagas intrínsecas são altamente móveis devido à alta polarisabilização da sub-redegem cátionária com os 6s2 lônicos elétrons de BI3 +. Os títulos BI-O têm caráter covalente e, portanto, são mais fracos do que os títulos puramente iônicos, de modo que os íons de oxigênio podem pular em vagas mais livremente.
O óxido de bismuto é usado principalmente em materiais eletrônicos, termistor, coloração de vidro, varistor, pára-choques, CRT, papel à prova de fogo, combustível de reator nuclear, eletrônico etc.
