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25617-97-4.
Gan.
310700gn.
99,99% -99,9999%
3 mm - 6 mm
247-129-0.
Característica
O nitreto de gálio (GAN) é um semicondutor binário III / V de bandgap comummente usado em diodos emissores de luz desde os anos 90. O composto é um material muito duro que tem uma estrutura de cristal wurtzite. Sua lacuna de banda larga de 3.4 EV oferece especial [esclarecimento necessário] propriedades para aplicativos em dispositivos optoeletrônicos, [8] [8] [9] de alta potência e alta frequência.
Fórmula Química: Gan
Massa molar: 83,730 g / mol
Aparência: pó amarelo
Densidade: 6,1 g / cm3
Ponto de fusão:> 1600 ° C
Solubilidade na água: insolúvel
Gap de banda: 3.4 EV (300 K, direto)
Mobilidade eletrônica: 1500 cm2/ (V · s) (300 k)
Condutividade térmica: 1,3 w / (cm · k) (300 K)
Índice de Refração (ND): 2.429
Estrutura de cristal: Wurtzite
Inscrição
Sua sensibilidade à radiação ionizante é baixa (como outros nitretos do grupo III), tornando-se um material adequado para matrizes solares para satélites. Aplicações militares e espaciais também podem se beneficiar, pois os dispositivos mostraram estabilidade em ambientes de radiação.
Como os transistores de GAN podem operar com temperaturas muito mais altas e trabalhar em tensões muito mais altas do que os transistores do Gálio Arsenide (GAAS), eles fazem amplificadores de energia ideais nas freqüências de microondas. Além disso, Gan oferece características promissoras para dispositivos THZ.
Característica
O nitreto de gálio (GAN) é um semicondutor binário III / V de bandgap comummente usado em diodos emissores de luz desde os anos 90. O composto é um material muito duro que tem uma estrutura de cristal wurtzite. Sua lacuna de banda larga de 3.4 EV oferece especial [esclarecimento necessário] propriedades para aplicativos em dispositivos optoeletrônicos, [8] [8] [9] de alta potência e alta frequência.
Fórmula Química: Gan
Massa molar: 83,730 g / mol
Aparência: pó amarelo
Densidade: 6,1 g / cm3
Ponto de fusão:> 1600 ° C
Solubilidade na água: insolúvel
Gap de banda: 3.4 EV (300 K, direto)
Mobilidade eletrônica: 1500 cm2/ (V · s) (300 k)
Condutividade térmica: 1,3 w / (cm · k) (300 K)
Índice de Refração (ND): 2.429
Estrutura de cristal: Wurtzite
Inscrição
Sua sensibilidade à radiação ionizante é baixa (como outros nitretos do grupo III), tornando-se um material adequado para matrizes solares para satélites. Aplicações militares e espaciais também podem se beneficiar, pois os dispositivos mostraram estabilidade em ambientes de radiação.
Como os transistores de GAN podem operar com temperaturas muito mais altas e trabalhar em tensões muito mais altas do que os transistores do Gálio Arsenide (GAAS), eles fazem amplificadores de energia ideais nas freqüências de microondas. Além disso, Gan oferece características promissoras para dispositivos THZ.
