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24304-00-5.
Aln.
130700st.
99,9%
1 polegada dia x 0,125 polegadas th.etc
246-140-8.
Característica
Nitreto de alumínio (ALN) é um nitreto sólido de alumínio. Tem uma alta condutividade térmica de até 285 w / (m · k), e é um isolante elétrico. Sua fase Wurtzite (W-ALN) tem uma lacuna de banda de ~ 6 EV à temperatura ambiente e tem uma potencial aplicação em optoeletrônicos operando em freqüências ultravioletas profundas.
Fórmula química: aln
Massa Molar: 40.989 g / mol
Aparência: Branco a sólido amarelo pálido
Densidade: 3,255 g / cm3
Ponto de fusão: 2.500 ° C (4.530 ° F; 2.770 K)
Solubilidade na água: hidrolises (pó), insolúvel (monocristalina)
Solubilidade insolúvel, sujeito de hidrólise em soluções de água de bases e ácidos
Gap de banda: 6.015 EV
Mobilidade eletrônica: ~ 300 cm2/ (V · s)
Condutividade térmica: 285 w / (m · k)
Índice de Refração (ND): 2.1-2.2 (cristais) 1,8-1,9 (amorfo)
Estrutura de cristal: Wurtzite
Inscrição
O nitreto de alumínio cristalino de filme fino epitaxialmente cultivado é usado para sensores de onda acústica superficial (serras) depositados em bolachas de silício por causa das propriedades piezoelétricas da ALN. Uma aplicação é um filtro RF que é amplamente utilizado em telefones celulares, que é chamado de um ressonador acústico em massa de filme fino (FBAR). Este é um dispositivo MEMS que usa nitreto de alumínio sanduíche entre duas camadas de metal.
A ALN também é usada para construir transdutores de ultra-som micro-som piezoelétricos, que emitem e recebem ultra-som e que podem ser usados para rangefinding no ar sobre distâncias de até um metro.
Os métodos de metalização estão disponíveis para permitir que o ALN seja usado em aplicações eletrônicas semelhantes às do óxido de alumina e berílio. Aln nanotubos como nanotubos quase inorgânicos quasi-dimensionais, que são isoeletrônicos com nanotubos de carbono, foram sugeridos como sensores químicos para gases tóxicos.
Atualmente há muita pesquisa sobre o desenvolvimento de diodos emissores de luz para operar no ultravioleta usando semicondutores baseados em nitreto de gálio e, usando o nitreto de gálio de alumínio de liga, comprimentos de onda até 250 nm foram alcançados. Em 2006, foi relatada uma emissão de LED ALN ineficiente a 210 nm.
Característica
Nitreto de alumínio (ALN) é um nitreto sólido de alumínio. Tem uma alta condutividade térmica de até 285 w / (m · k), e é um isolante elétrico. Sua fase Wurtzite (W-ALN) tem uma lacuna de banda de ~ 6 EV à temperatura ambiente e tem uma potencial aplicação em optoeletrônicos operando em freqüências ultravioletas profundas.
Fórmula química: aln
Massa Molar: 40.989 g / mol
Aparência: Branco a sólido amarelo pálido
Densidade: 3,255 g / cm3
Ponto de fusão: 2.500 ° C (4.530 ° F; 2.770 K)
Solubilidade na água: hidrolises (pó), insolúvel (monocristalina)
Solubilidade insolúvel, sujeito de hidrólise em soluções de água de bases e ácidos
Gap de banda: 6.015 EV
Mobilidade eletrônica: ~ 300 cm2/ (V · s)
Condutividade térmica: 285 w / (m · k)
Índice de Refração (ND): 2.1-2.2 (cristais) 1,8-1,9 (amorfo)
Estrutura de cristal: Wurtzite
Inscrição
O nitreto de alumínio cristalino de filme fino epitaxialmente cultivado é usado para sensores de onda acústica superficial (serras) depositados em bolachas de silício por causa das propriedades piezoelétricas da ALN. Uma aplicação é um filtro RF que é amplamente utilizado em telefones celulares, que é chamado de um ressonador acústico em massa de filme fino (FBAR). Este é um dispositivo MEMS que usa nitreto de alumínio sanduíche entre duas camadas de metal.
A ALN também é usada para construir transdutores de ultra-som micro-som piezoelétricos, que emitem e recebem ultra-som e que podem ser usados para rangefinding no ar sobre distâncias de até um metro.
Os métodos de metalização estão disponíveis para permitir que o ALN seja usado em aplicações eletrônicas semelhantes às do óxido de alumina e berílio. Aln nanotubos como nanotubos quase inorgânicos quasi-dimensionais, que são isoeletrônicos com nanotubos de carbono, foram sugeridos como sensores químicos para gases tóxicos.
Atualmente há muita pesquisa sobre o desenvolvimento de diodos emissores de luz para operar no ultravioleta usando semicondutores baseados em nitreto de gálio e, usando o nitreto de gálio de alumínio de liga, comprimentos de onda até 250 nm foram alcançados. Em 2006, foi relatada uma emissão de LED ALN ineficiente a 210 nm.
